A股赛微电子RFCMEMS技术与晶体

A股：赛微电子——RFCMEMS技术与晶体振荡器一样稳定

中午看了新闻，搜资料。结果搜到这个，供大家参考。AI伺服器光模块需搭配高阶的差动式输出振荡器(differentialoscillator)，单价较一般伺服器/消费电子的振荡器高约10-20倍.输出式振荡器才是真正受益德

赛微电子启动”RFCMEMS工艺平台“建设，推进“RFCMEMS工艺平台”清华大学“0.34nm栅长石墨烯薄膜侧壁MoS2晶体管”、“元成像芯片架构底层技术（摆脱“卡脖子”的EUV光刻机）”技术成果产业化，建设亚1nm超大规模集成电路6G芯片、太赫磁芯片，构成对全球亚1nm超大规模集成电路芯片20年技术壁垒，实现中国6G芯片、太赫磁芯片本土化自主可控、反“卡美国的脖子”。

科普：

结合混合讯号知识，RFCMEMS技术可以采用单一参考频率生成几乎所有频率输出，并且输出频率与大批量生产的晶体振荡器一样稳定，为频率控制工业带来显著的优势，包括更小尺寸、更高性能、更低成本和更好的可扩展性。

CMEMS工艺其它产品线将满足不同细分领域电子市场，从低频到高频，从嵌入式消费类产品到高性能通信和网络应用，最终，将采用比石英解决方案更小、更经济、更可靠、更容易制造和集成进入系统设计的重整频率控制产品，为整个电子市场提供服务。

晶体管是芯片的核心元器件。芯片都是由数以亿计的晶体管组成的，单位芯片上集成的晶体管数量越多，片上的功能性能就越强大先进。因此，在半导体的制造中，始终遵循着摩尔定律，集成电路的尺寸持续减小，于是MOSFET的沟道长度也相应地缩短，这就导致了MOSFET管中的S和D（源和漏）的距离越来越短，因此栅极对沟道的控制能力变差，这就意味着栅极电压夹断（pinchoff）沟道的难度变大，于是使得亚阈值漏电（subthresholdleakage）现象，即短沟道效应（short-channeleffect）更加容易发生。所以，使芯片行业最先进制造工艺的台积电停滞于3nm芯片制造。

清华大学任天令教授团队”0.34nm栅长石墨烯薄膜侧壁MoS2晶体管“研发成功，推进了亚1nm大规模集成电路6G芯片、太赫磁芯片的可能。

目前主流工业界晶体管的栅极尺寸在12纳米以上。目前国际上研究团队的极限也仅能实现栅长为1纳米的平面硫化钼晶体管。

“晶体管是学术界和产业界生产芯片最基本的出发点，如果能把这个最小的基本单元做好的话，毫无疑问能给一系列外延功能提供更好的支持。”任天令告诉中青报中青网记者，进一步突破1纳米以下栅长晶体管的瓶颈，成了团队下决心要解决的重点问题。

1nm以下栅长石墨烯薄膜侧壁MoS2晶体管研发成功。

年3月9日，清华大学任天令及田禾共同通讯在Nature在线发表题为“VerticalMoS2transistorswithsub-1-nmgatelengths”的研究论文，该研究使用石墨烯层的边缘作为栅电极展示了具有原子级薄沟道和亚1nm物理栅极长度的侧壁MoS2晶体管。该方法使用通过化学气相沉积生长的大面积石墨烯和MoS2薄膜在2英寸晶圆上制造侧壁晶体管。这些器件具有高达1.的开/关比和低至mVdec–1的亚阈值摆幅值。仿真结果表明，MoS2侧壁有效沟道长度在开态状态下接近0.34nm，在关态状态下接近4.54nm。“在相当长的一段时间内，要打破这一纪录是非常困难的。”纽约州立大学布法罗分校纳米电子学科学家李华民评价道，这项新工作将栅极的尺寸极限进一步缩小到“仅一层碳原子的厚度”。

对于未来，任天令表示，团队会针对最新的技术及社会需求，进一步向前推进材料、技术支持，使1纳米以下栅长晶体管能够从实验室走向产业化。他说，“希望团队能够进一步推动新路径的形成，我们将来不只是在技术或研究方面，还要在产业方面运用这样的路径，带领我们走向国际领先位置。”

然而，芯片制造工艺及EUV光刻机才是芯片行业的天花板瓶颈。希望，赛微电子启动”RFCMEMS工艺平台“建设，推进“RFCMEMS工艺平台”清华大学任天令团队“0.34nm栅长石墨烯薄膜侧壁MoS2晶体管”及“元成像芯片架构底层技术（摆脱“卡脖子”的EUV光刻机）”技术成果合作产业化，建设亚1nm超大规模集成电路6G芯片、太赫磁芯片(构成技术壁垒），实现中国6G芯片、太赫磁芯片本土化自主可控、反“卡美国的脖子”。

讲完了逻辑，再来讲讲峰哥看好的低位牛股：

近期在圈里的老粉都知道，峰哥近期布局了不少的牛股，比如剑桥科技35%、东田微20%、奥比中光32%、宣亚国际21%都是大肉，还有其他的一些小肉，峰哥就不多说了，实力在这里，信则跟上！

下半年牛股：

1、股价前期回调较大，目前位置在低位，估值相对合理，有一定安全边界；

2、无惧大盘，阳多阴少，沿着20日均线攀升吸筹中；

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