2023春季亚洲充电展新品推介,一睹

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前言

亚洲充电展（AslaChargingExpo）简称ACE，由充电头网发起，展会立足现代化国际都市群粤港澳大湾区，是全球影响最为广泛的能源电子技术展会之一，也是亚洲屈指可数的充电行业技术产业盛会。得益于专业性强、参展商和观众覆盖精准，亚洲充电展在全球享有相当高的知名度。现已成为了全球各大电源企业发布产品信息和展示最新技术的窗口。

近年来，亚洲充电展吸引着来自全球数千家企业参与，覆盖快充、无线充、储能、新能源等领域，尤其是在推进快充、无线充技术的应用与普及，亚洲充电展对行业贡献深受赞誉。众多行业人士已经将这一展会规划为每年重要行程。

目前已有近两百家厂商率先公布即将亮相（春季）亚洲充电展的新品，这期新品推介，共有24款产品，分别来自芯塔电子、真茂佳、捷捷微、英嘉通、森国科、时科、TransphormInc.、辰达、沃尔德、思开、高特、华润微、方舟微、美浦森、英诺赛科、安森德。

（春季）亚洲充电展展位布局如上图所示，大会共包含4个主要展区，分别为A区、B区、C区、D区，大会论坛区设于A区。参会观众可根据展位布局，快速找到参展企业。

展位及新品介绍

以下厂商排名不分先后，按展位顺序排序。

安徽芯塔电子科技有限公司

展位号：B29

安徽芯塔电子科技有限公司是国内领先的第三代半导体功率器件和应用解决方案提供商，坚持以自主创新为核心，致力于先进半导体功率器件的国产化。公司位于皖江城市带承接产业转移示范区安徽省芜湖市高新区。核心技术团队来自浙江大学、中科院、海外知名院校及业界知名头部企业，具有深厚的产品研发能力和产业化经验。

公司已完成一系列的产品研发和批量生产，包括6英寸SiC肖特基二极管芯片，V-V40多种规格的SiC肖特基二极管器件和模块，GaNHEMT芯片和器件，并且已经研发成功第五代肖特基二极管产品。具有芯塔电子自主知识产权的SiCV80mΩMOSFET芯片已经开发完成，性能对标国际一线品牌，满足客户需求，可实现国产替代。

目前，芯塔电子已逐渐形成比较完整的功率器件产品体系，产品在高端电源领域通过验证，进入了行业标杆客户，同时在军工、新能源汽车、充电桩等领域进行了送样和销售。年销售额近万元，预计年销售收入将超过万元。

芯塔电子新一代SiCMOSFET选型表

芯塔电子DFN8*8封装碳化硅二极管产品采用无引脚设计，降低杂散电感，使器件可以应用于更高频率，具有正温度系数，可直接并联使用。同时，产品封装厚度1mm，适于PD快充紧凑设计，可根据功率密度和散热要求灵活选用。

TD5GM详细资料。

芯塔电子碳化硅MOSFET技术团队通过优化设计，结合先进的晶圆减薄技术，进一步提高了器件的功率密度和效率，可以应用在更高频的环境，从而大幅降低外围电路电感、电容、滤波器和变压器的尺寸，对比前一代产品具有更小的芯片尺寸、更低的米勒电容、更高的抗干扰能力。芯塔电子本次发布的SiCMOSFET器件低优值因子QGxRDS(on)是产品最大的亮点之一。优值因子数值越低说明器件的综合损耗越小，效率更高。

TM2GK详细资料。

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深圳真茂佳半导体有限公司

展位号：B44

深圳真茂佳半导体有限公司是一家以技术、市场为导向、技术领先的功率半导体国家高新技术企业。公司创始团队具有20年以上的功率半导体制造管理、市场开发经验，核心研发人员均拥有至少15年以上功率半导体器件的设计经验；其中海外设计人员长期从事汽车级MOSFET产品的设计开发，也是国际上少数最早参与车用TrenchMOSFET和DoublegateMOSFET的设计人员。

公司基于汽车功率半导体器件平台技术打造高可靠性产品，目前主要产品有沟槽MOSFET(20-V)、SGTMOSFET(30-V)、超级结MOSFET(-V)、集成快恢复二极管MOSFET(-V)、SIC二极管V-V、SICMOSFETV-V、VGaNHEMT。同时公司完全掌握IGBT产品设计与工艺技术，将根据市场需求择时推出相关产品。目前公司有TO、SOP、DFN、SOT、WLCSP、TOLL、模块等系列封装形式，并持续开发更高功率密度，可靠性，散热性能的封装形式。

公司主要应用领域有汽车、电机驱动、手机电池保护、大功率电源、新能源逆变，BMS等。其中在汽车、电机驱动、PD快充、适配器、通讯、电源、无线充、嵌入式系统、车充、手机电池保护等领域优势明显。公司秉承以客户为中心的经营理念,通过持续创新、不断推出可引领行业的高效、高可靠性、高性价比的功率器件，持续为客户创造价值。

产品型号：ZMSN06NC

ZMSN06NC具有超高的功率密度和性能，在DFN5*6封装中可以实现1.2mR的超低导通电阻，同时还具备超低的Qg和Qgd。

以上特性使得器件在应用中可以实现超高的工作效率和减少电源产品体积。该器件适合DC-DC和同步直流等应用场景，为系统提供小体积、高效率、高性价比解决方案。

ZMSN06NC详细资料。

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江苏捷捷微电子股份有限公司

展位号：B45

捷捷微电（上海）科技有限公司坐落于中国（上海）自由贸易试验区临港新片区，是一家专业从事功率半导体器件领域的设计、工艺研发和销售的集成电路设计公司，至今共申请34项发明及实用新型专利，获授权13项实用新型专利。陆续推出先进自有JSFET?技术平台、耐压范围涵盖30~V的SGTMOSFETs；结合新型功率封装技术，性能对标国际一流，具行业领先的低导通阻抗及结电容/荷等电气特性。广泛应用在USBPD快充、AC/DCSMPS、电机驱动、锂电保护及电池管理、电脑及周边、5G通信及以太网PoE++等终端。

捷捷微电持续聚焦新能源汽车和智能电网等应用，先后推出业界领先的30~V车规级SGTMOSFETs产品，并持续增扩车规级功率组装测试线。采用符合JEDEC标准MO-B、兼容国际大厂如Infineon及Onsemi的同类TOLL含自主知识产权PowerJE?10x12封装的JMSHATL及JMSH4ATL，功率密度高且电气特性为国内领先水平，与欧美日同类产品不遑多让。

随着汽车智能化及辅助驾驶(ADAS)的普及，激发了对电子元器件的巨大增量需求；电动化和车联网趋势，使越来越多传统机械元件被更可靠更灵敏的半导体器件取代。捷捷微电顺势而为，二十六年如一日的聚焦功率半导体，在人才建设、技术创新、生产制造和质量管理等方面积累了深厚的底蕴，在汽车产品及市场应用持续耕耘多年，以做好国产化替代为使命，持续为车企及Tier-1客户提供更多的产品选择和更好的服务。

陆续推出的67款车规级SGTMOSFETs，其芯片的设计制造及成品的封装测试，皆在符合IATF品质管理的工厂完成。每个器件也通过三批次、符合AEC-Q标准的长期可靠性验证。优异的关键电气参数如导通电阻(1.3~29.0mΩ)、栅极电荷(6.8~88.0nC)、FOM(55~)等，性能不输欧美大厂，已广泛被汽车前装及后装市场接受并大规模出货。

为实现与先进芯片的有机匹配，保证性能与高可靠性，在-55~°C温度区间内保持长期稳定工作，PDFN3x3/5x6-8L/-D及TO-/-3/7L的封装，从框架到贴芯工艺、线材、悍接工艺等，均采用MSL1等级及低机械温度应力材料。所有车规级SGTMOSFETs皆不含卤素，且符合RoHS要求。

目前捷捷微电车规级SGTMOSFET已广泛应用在以下几个领域：

1、直流升压驱动：资讯娱乐面板内mini/LED背光、內饰环境LED、矩阵LED车前照灯

2、半/全桥功率级：小/中功率DC及BLDC马达驱动（车身控制模组、油泵、电子助力转向）、Qi兼容无线充电板

3、高/低侧电源开关：车载高性性运算(GW,DC/DC)、副边同步整流

4、负载开关：传统及新能源车的各种母线系统的电子设备

5、Type-C?电源输出端：VBUS输出开关

AutomotiveSGTMOSFET产品组合表。

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苏州英嘉通半导体有限公司

展位号：B54

英嘉通半导体有限公司成立于年2月，位于深圳南山区科技园和苏州相城区高铁新城。公司组建了一支由华为、中兴、国内外知名公司工作多年的团队，在功率半导体领域深耕十多年，具有坚实的芯片设计能力及丰富的半导体产品销售经验。

英嘉通目前已推出多款成熟的V氮化镓功率产品，器件成本竞争优势明显，技术种类齐备，已经得到市场广泛的认可，为不同的功率应用场景提供最简单、经济、高效的解决方案。

英嘉通GaN家族的多种器件类型能够满足不同的客户设计需求，基于英嘉通GaN系列的PD快充方案和适配器方案，具有高功率密度、高效率、低成本、低待机功耗等特点，功率应用范围涵盖5W至W，性能参数比肩现有商用氮化镓功率器件。

英嘉通大功率新品发布，单颗超2KW功率，引领行业，披荆前行

IGC6CDF、IGC6CD产品图

英嘉通半导体发布多款大功率氮化镓功率器件，针对充电桩、储能、大功率电源等应用，引领行业，将氮化镓落地工业级、车规级领域。

四款主推规格具备V耐压，阻值分布别为30mΩ，40mΩ，75mΩ和mΩ，根据功率等级的不同，封装形式目前有TO和TOF可选。以30mΩ产品为例，单颗最高功率超过0W。产品均延续CASCODE级联结构，具备高栅极可靠性、高阈值电压、高抗扰动能力等特点，该设计为GaN在传统大功率应用中的稳定工作提供坚实保障。产品对标传统VCOOLMOS竞品，同时兼容SiC竞品，原位替代，性能更优。

此次大功率产品采用INGACOMGaNToGoTM第二代技术，相比第一代芯片面积大幅降低。与行业最新GaN竞品对比，INGACOM第二代产品在成本竞争力上占据优势，更远胜于传统COOLMOS。

IGC6CD详细资料。

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深圳市森国科科技股份有限公司

展位号：B76

深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事碳化硅功率器件及电机驱动芯片研发的国家高新科技企业。公司总部设立在深圳市南山区粤海街道科技生态园10A栋12层，在成都、苏州设有研发及运营中心。公司研发人员占比超过70%，研究生以上学历占比50%，来自联发科、海思、比亚迪微电子、罗姆、华润上华等机构，囊括清华大学、电子科技大学、西安电子科技大学、西北工业大学等微电子专业知名院校。

公司碳化硅产品线主营V和VJBS和SBD碳化硅二极管，并在年推出全新碳化硅MOS管，该产品系列广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、充电桩电源模块、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源等。森国科碳化硅产品采用6吋车规级晶圆，具有高耐温，高频，高效，高压特性，已稳步进入国内主流电源、光伏上市公司供应链。

公司电机驱动芯片采用先进的驱动算法，优化电机的运行效率，满足客户调速曲线的同时，降低能耗，通过集成度的提高，进一步优化外围电路，满足业内对高可靠性的要求，改善系统稳定性，同时帮助客户节约成本。产品满足单相、三相、FOC、集成Hall等控制模式，包括ASIC、GateDriver、MCU+GateDriver、IPM等各种类型，满足高压、中压、低压各种环境，广泛应用于风扇、吹风机、电动自行车、滑板车、筋膜枪、扫地机器人、吸尘器、空气净化器、水泵等领域。

公司在中金资本、北汽产投、蓝思科技、凌霄股份、中科海创等股东的助力下，以低成本创新为己任，努力为客户提供高性价比的绿色“芯”动力，成为全球领先的功率半导体公司！

愿景：成为全球领先的功率半导体厂商

使命：打造绿色芯动力，赋能低碳加双碳

定位：“新材料+特色工艺”的新一代功率半导体公司

价值观：成就客户、正直诚信，认真仔细，敬业爱岗，团队合作，主动创新，开放进取，自我批评。

产品型号：KM040J

森国科碳化硅MOSFETKM040J采用业内领先的超精细元胞结构设计，优化栅氧电场，进一步提升电流密度，具备良好的正向特性和反向特性；

KM040J采用TO-4引脚封装，采用Kelvin连接的信号源端子进行栅极驱动，可以降低封装内电源线电感的影响，从而进一步提高MOSFET芯片的高速开关性能；KM040J按照AecQ-标准进行可靠性测试，并且通过所有的测试项，可靠性可以满足工业级以及车规级的应用需求。

KM040J详细资料。

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广东時科微实业有限公司

展位号：B93

時科，源自台湾，全球知名的半导体分立元器件厂商之一，主要提供工程师与设计人员各种半导体産品与软件，爲汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空及电源应用等产品带来更优质的感知体验。

自创办以来，在“让好产品拥有良芯”的核心理念指导下，以安全、低能耗、高性能爲宗旨，時科半导体的研发战略从来没有动摇过，近四分之一的员工在研发与産品设计领域工作，每年研发费用占总收入的22%左右，加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗，時科迅速发展，産品远销到北美、欧洲和亚太地区，被认为是半导体行业富有创新力的公司之一。

時科将会在安全、能耗和性能方面不断优化，更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要，从概念设计到生産制造，我们将提供全程支持。展望未来，我们将立足创新，不断爲客户、员工和全社会创造价值，通过降低能耗、改善安全，提升性能，重点