电子行业2023年度策略周期将见底,国产

（报告出品方/作者：中泰证券）

一、周期有望于Q1见底，国产化+创新提供成长动能

1.1、全球半导体周期有望于Q1触底，静待反转

全球半导体产业大市场、强周期性：1）市场规模：年全球市场规模达到亿美金，同比+26%，WSTS预计年将继续增长，市场规模为亿美金，同比+4%，年市场规模为亿美金，同比-4%。2）周期性：从年开始，全球半导体产业历经11轮周期，从年开始处于第12轮周期，目前处于下行阶段，近几轮周期通常持续3-4年。

半导体周期主要受需求驱动，目前看下游仍处于去库存阶段。半导体的下游中，通信+计算机占到60%以上。1）服务器：基本与半导体周期一致，某些周期存在提前或延迟。2）PC：与半导体周期基本同步，Q2~Q2受疫情居家办公影响，同比销量大增，对该轮周期驱动力较强。3）手机：16年以前与半导体周期基本一致，对周期的驱动性较强。年以后，手机进入零增速+微创新时代，对半导体的需求驱动力减弱，因此与半导体周期的相关性弱化。但因手机基数大，故22Q1开始下行周期中，手机疲软对周期影响明显。

因疫情扰乱供需节奏，本轮周期“缺芯”时间明显拉长。1）供给端，年初疫情在全球蔓延，代工厂、封测厂生产及扩产都受到了影响。需求端，车企低估了新能源汽车需求，在制造端排产量小于实际需求，后期要求加单后导致发生挤兑。本轮向上周期由此开启。2）在我们统计的年以来的6轮周期中，有3轮周期中产能利用率达到了%，但前两次周期中满产状态仅维持一个季度，而本次周期中持续了21Q1-22Q26个季度。

/9进入负增速阶段，历史经验看该阶段通常长5-7个月1）/8上行周期起点。/7为周期增速底部，此后进入增速上行周期，并于/2月增速回到正增长；股价提前2个月反应，即从/4月开始上涨。2）/3下行周期起点。/2增速达到本轮上行周期高点，股价基本同步反应，于/1到达顶点。3）/9月进入负增长阶段，根据我们统计的年来的6轮周期，其中1轮周期中该阶段不存在，1轮周期中该阶段为10个月，其他4轮周期中为6-7个月，根据历史周期性规律判断，本轮周期拐点或有望于23Q1出现。但受疫情及地缘政治等因素影响，需求复苏延后可能导致本轮周期拐点延后出现。

除复盘历史，我们也重点跟踪存储价格走势，以期跟踪全球半导体周期变化。存储是半导体第二大细分品牌，周期波动性最强。1）市场规模：//年全球存储市场规模为//亿美金，占半导体规模的比例为28%/27%/26%，是全球第二大细分品类。2）周期波动：存储的周期性与全球半导体整体周期性走势一致，但波动性远大于其他细分品类。全球DRAM或Flash市场价格分为合约价和现货价，价格反映景气变化。1）合约价：ContractPrice，大客户，价格按照协议合约走，月度议价，不受期间价格波动影响，占比约90%。2）现货价：SpotPrice，反应当前市场供需情况，价格波动比合约价更剧烈，占比约10%。

存储价格与全球半导体周期高度相关，目前存储价格仍处于下行区间，存储在半导体中占比大、周期性强，存储价格与全球半导体月度销售额高度相关。我们定期跟踪存储价格，截至年11月30日，DDR4合约价、现货价均创历史新低，DRAM整体跌幅较10月收窄，但仍处于下行通道。海外存储厂商展望23H2景气复苏，三星周期低点逆势投资。海外存储厂商预期库存23H1改善，需求有望23Q2开始回温，23H2景气复苏。海外存储厂商中仅三星逆周期投资，美光、海力士、华邦、旺宏均削减明年资本开支、减少产能、延缓扩产等举措。

海外大厂景气度展望：Q4多数设计公司指引为同比负增长1）设计：设计板块中，仅MCU板块Q4指引同比正增长，其他设计板块（数字、存储、射频、模拟、功率）均延续22Q3的负增速。2）材料、设备、制造、封测环节Q4展望增速仍为正增长。

1.2、全球层面看，各环节与全球半导体周期基本同步

从各环节看，设计公司普遍22Q3进入负增长。从全球层面看，各环节周期基本同步。其中，制造、封测、硅片营收同比增速虽仍为正值、但明显下降。而设计环节中，射频、存储、SoC的部分公司已于Q3进入负增长。1）制造、封测、硅片环节：制造、封测、硅片营收基本与全球半导体营收同步。目前看，中游（制造、封测）月度营收增速仍为正值，但增速明显下降。2）设备公司：从设备公司营收看，22Q1开始进入营收低增速期，连续三个季度低于10%。

3）模拟MCU公司：模拟MCU公司营收与全球半导体销售额完全同步，波动幅度高于整体值。模拟公司从Q2至22Q2模拟MCU一直保持高增速，我们统计的全球top公司的平均同比增速在29%以上，22Q3起增速明显下滑，为18%。从库存来看，一般较营收有延迟，即表现为上行周期公司囤货、下行周期去库存，在出现明确拐点以后才会开始有减少库存或备货动作。

4）存储公司：存储公司营收与全球半导体销售额完全同步，波动幅度高于整体值。22Q3起增速已由22Q2的18%下滑至-20%。从中国台湾的存储公司看，由于消费类占比较高，相较全球市场提前进入下行区间，在年5月既已进入负增长。而库存方面，年之前较营收周期略有延后，年之后表现为逆周期性，即上行周期库存减少、下行周期库存增加。5）射频公司：射频公司营收与全球半导体销售额完全同步。且从22Q2起即进入低增速，22Q3增速已降至0%。而库存方面，年之前较营收周期略有延后，年之后表现为逆周期性，即上行周期库存减少、下行周期库存增加。

6）SoC公司：SoC公司营收与全球半导体销售额基本同步，波动幅度与整体相当。其同比增速22Q2已下降至5%，22Q3进入负增速区间，为-17%。而库存方面，年之前较营收周期略有延后，年之后表现为逆周期性，即上行周期库存减少、下行周期库存增加。

股价层面，本轮周期股价提前反应，海外大厂普遍于9月/10月见底。具体来看：1）本轮上行周期股价与基本面基本同时反应，其中ADI、TI股价于/11月底见顶，ASML、应材、美光股价于/12月见顶，早于半导体行业销售额数据约1个月；台积电股价于/01见顶，与半导体行业销售额数据同步。2）而本轮下行周期股价提前于基本面反应，其中美光于年9月底见底，ASML、TI、ADI、应材于/10月中旬见底，股价均提前于基本面反应。

1.3、大陆层面看，设备材料独立于全球周期，设计环节先于全球反应

年前，大陆与全球半导体走势无明显关系；年贸易摩擦后，大陆与全球半导体同步。我们选取了剔除大盘影响后的半导体指数与未剔除前的指数做对比。可以看到，年以前，大陆半导体指数跟随大盘走势，而与全球半导体市场规模增速无明显关系；年中美贸易摩擦开始以后，大陆半导体股指走势明显与全球半导体规模增速同步。

国产化背景下，设备及零部件、材料持续高增，叠加周期，设计版块因去年高基数明显承压，封测、功率版块明显松动。设计板块具体来看：去年超高景气带来高基数，今年周期因素强于国产替代因素，版块承压。1）营收及净利润：FPGA表现显著优于其他板块。2）存货：设计板块整体库存水位提升明显，但部分公司存货水平开始改善，环比向下的公司包括：晶丰明源qoq-25.2%、博通集成qoq-8.7%、明微电子qoq-3.9%、澜起科技qoq-1.2%、唯捷创芯qoq-10.1%。3）盈利能力：模拟和IOT板块净利率下滑幅度较大。

1）大陆设备独立于全球周期，材料基本与全球周期同步材料公司，毛利率、营收增速、存货增速与全球半导体指标表现同步。从幅度看，材料公司波动幅度大于全球半导体销售额波动；目前营收增速仍高于全球水平。设备公司，毛利率基本保持平稳，由于国内扩产周期与全球半导体周期不同步，大陆设备公司与全球半导体周期不同步。2）制造、封测与周期同步制造环节，毛利率、营收增速与全球半导体指标表现同步。从幅度看，大陆代工厂波动幅度大于全球半导体销售额波动；目前营收增速仍高于全球水平。封测环节，营收增速与全球半导体指标表现同步，但营收增速仍高于全球水平。

3）设计环节：部分公司增速提前进入负增长设计部分板块同比收入较全球半导体提前进入负增长阶段（主要因去年国内设计公司营收增速远高于全球水平），22Q2时，模拟、射频营收均已进入负增长；22Q3时，模拟、射频增速仍然为负，且MCU也进入负增速，其他设计公司增速降至4%，功率半导体增速降至14%。FPGA板块由于下游较为特殊，因此22Q3仍保持40%的高速增长。

与全球半导体走势不同，A股于/7见顶，/11仅小幅反弹。从基本面看（即全球半导体销售同比增速），/6月为第一次高点，/2月为第二次高点，且第二次高点略高于第一次高点。全球半导体股价与该基本面走势基本一致（具体见1.2节）。而A股方面，/7见顶（较基本面之后约1个一月），对于第二次的基本面高点，股价仅在/11月小幅反弹。

1.4、半导体设计率先见底，迎边际拐点

导体具有周期性特点，主要围绕代工厂产能节奏，设计处于下游与终端绑定较深，因此往往先行反应。当下游终端需求增加，设计厂商订单增多，从而增加对代工厂下单，产能开始紧缺，继而代工厂一方面扩产拉动投资，一方面对下游涨价；当需求转弱，设计厂商将面临上游涨价及下游需求低迷共同挤压，业绩开始承压，从而开始减少代工厂订单，转而传导到代工厂缩减扩产投资，对下游涨价放缓。此外产业链各环节存货将会对半导体周期起到放大效应，需求增长，渠道原厂加大备货，拉动订单高增；需求转弱，渠道原厂开始去库存，砍单幅度加大。从目前看，设计板块自21Q3见顶后，经过跌价、砍单、去库存，整体有望率先见底反转，从产业链传导角度也将早于中游制造及上游设备、材料。

成本端：受代工厂涨价影响有所承压。从全球主流代工厂晶圆出货价格走势看，台积电与联电均于21Q3后对晶圆涨价，对应设计类厂商21Q3盈利水平见顶，此后利润承压，毛利率环比不断下滑。截至22Q3，台积电相较于21Q3，晶圆出货平均价格涨幅约20.46%；联电相较于21Q3，晶圆出货平均价格涨幅约27.15%。在持续涨价及需求松动压力下，设计公司缩减下单量，代工厂稼动率有所下滑。

上游代工厂产能缓解稼动率下滑，设计厂商成本有望逐步缓解。受疫情扰动、俄乌冲突海外需求下滑等事件影响，终端需求承压，22H2呈现旺季不旺态势，智能手机、PC、消费类SoC以及CIS与PMIC等产品去库存明显，设计厂商逐步下调投片量。据TrendForce数据显示，代工大厂产能利用率已逐步松动：联电Q4消费类产品掉单较多预期产能利用率下滑10%；格芯大多数八寸产能利用率开始松动；力积电Q48寸与12寸产能利用率分别下滑至60-65%、70-75%；世界先进产能利用率预期将跌至7成。代工厂稼动率下滑将有望减轻设计公司成本端压力，带动利润释放。

库存端：存货水平处于高位，主动砍单原厂库存水位有望23Q1达到拐点。设计厂商作为半导体行业下游与终端产品绑定较深，国内设计厂商大多为fabless模式，没有固定资产投资，其业绩主要受上游成本、下游需求共同影响。从存货看，设计公司21Q2见底，之后产能持续开出，下游需求放缓，21Q3消费旺季存货略有增长，但叠加疫情扰动等因素，21年底后存货水平快速回升，22Q3已超过年3月疫情时的前期高点。22H2设计厂商陆续砍单，报表端反应滞后1-2个季度，因此设计原厂库存水位改善有望在23Q1达到拐点。

总结来看，展望23年，上游成本端：目前受需求下行影响，部分晶圆代工厂产能利用率出现松动，设计厂商整体存货水平不断攀升，因此预期明年代工厂产能将有望缓解，产能利用率松动，从而减轻对设计厂商的成本压力；下游需求端：设计厂商需求除了受终端销量影响外，也受库存情况影响。年受国内疫情反复及海外俄乌冲突等事件影响，行业整体需求疲软。终端需求来看，在国内疫情政策放开后明年的需求逐步复苏预期较强。

库存来看，据联发科22Q3法说会表示，目前已观察到较早进行大幅调整库存的客户，已开始在22Q4恢复部分拉货动能，象征年上半年有机会看到更多回补库存的需求。我们预计随年下游渠道持续去库存，整体库存将有望在23H1修正。因此我们认为设计类厂商年将有望迎来上游成本及下游需求的共同缓解，并叠加23H1库存水位修正后的下游补库存需要，预计整体将率先迎来触底反弹。

大陆半导体自给率仍不到20%，替代空间大。根据海关总署历年数据，我国集成电路产业长期存在较大贸易逆差。自年以来，因中美贸易摩擦国产化快速推进，出口额相较进口额比例略有提升，从年25.6%提升至年35.7%，但整体比例依然较低，高端芯片严重依赖海外进口。根据ICInsights数据显示，我国集成电路产值不断攀升，但因规模快速增长，整体集成电路自给率依然较低，年以来维持在14%-17%波动，产业链整体替代空间大。

年中国IC产值占国内IC市场规模的16.7%，剔除海外公司在华建厂所做贡献外，国产IC公司产值仅占国内市场规模的6.6%。据ICInsights统计口径，中国年IC市场规模为亿美元，其制造产值规模为亿美元，占国内市场比例仅为16.7%。细分来看，在年中国亿美元产量中，国产厂商合计贡献亿美元，占国内市场规模仅6.6%，而台积电、SK海力士、三星、英特尔、联电和其他在中国设有IC晶圆厂的外国公司贡献了其余部分。因此我国半导体市场规模大、下游需求高，但国产IC目前供给量低，各赛道国产化程度普遍不高，整体替代空间广阔。

大赛道低替代率首选半导体设计。截至年底，按市场规模排序，半导体下游细分赛道前三分别为设计、制造及封测；按行业三年增速排序，则分别为设备、设计及制造；从国产化率来看，IP授权、EDA工具及设计处于国产化率较低阶段。综合来看，半导体设计板块目前国产化率低，且行业增速及市场规模较大，处于快速发展期，细分赛道产业链内公司替代空间广阔。

在半导体设计细分板块中，数字、模拟、存储国产化率相对最低且市场空间大。从国产规模空间看，数字、存储、模拟赛道空间大，细分赛道前三如逻辑器件、MPU、Dram分别为亿美元、亿美元、亿美元；从国产化率程度来看，数字、模拟、存储国产化水平低，逻辑器件及Dram国产化率仅约5%；因此综合考虑赛道规模空间及国产化率水平，设计下游细分存储、数字及模拟赛道成长性较高，弹性空间大。

数字、模拟赛道盈利水平较高，国产厂商提升空间大。目前国产设计厂商由于高端领域受阻、整体处于发展初期，规模效应较低，产品定价受海外竞争厂商压制，盈利水平目前较低。据艾瑞咨询数据统计，国产数字设计厂商-平均毛利率水平为39.7%，而模拟设计厂商-平均毛利率水平为36.2%。我们从设计细分主要下游领域，选择对应赛道头部3-5家龙头厂商毛利率，计算平均值相比较得出，海外数字及模拟赛道头部厂商平均毛利率水平较其他领域优势明显，模拟厂商近年来平均毛利率稳定在55%以上，而数字厂商平均毛利率稳定在50%以上。

二、被动周期见底先行，国产替代提供长期增长

被动元件行业与半导体周期重合度高。严格意义上，被动元件不属于半导体范畴，但其与半导体下游重叠度高，与半导体周期相关度高，叠加被动元件行业产业链短，反应迅速，因此领先于半导体行业周期变化。以MLCC为例，其周期性与半导体周期性高度重合。

目前MLCC价格已进入底部区间，库存处于低位，预计年Q2有望进入新一轮景气周期。今年以来，MLCC需求不振，叠加前期库存较高，行业处于去库存阶段，目前渠道端/原厂端MLCC库存已较低，预计将有望进入补库存阶段，MLCC厂商稼动率得到回升。年MLCC产品价格稳中有降，目前价格已处于底部区间，下行空间十分有限，未来随着下游需求改善，MLCC行业有望受益复苏。根据Trendforce数据，预计年下半年车规级MLCC价格持平，消费和工控级MLCC价格企稳。当前MLCC价格已进入底部区间。

海外大厂营收虽未明显回暖，库存已出现下降趋势。今年以来，MLCC需求不振，叠加前期库存较高，行业始终处于去库存阶段，目前我们观察到海外大厂收入虽未出现明显改善，但是其库存水平已出现下降趋势，并且目前渠道端MLCC库存较低，预计后续将进入补库存阶段，MLCC厂商稼动率有望得到回升，或出现业绩拐点。

国内厂商Q3业绩压力较大，但库存水平下降明显。从国内厂商来看，受疫情及消费电子需求不振影响，被动元件营收/净利润有所下滑，22Q3营收同比/环比分别-9%/-9%，净利润同比/环比分别-43%/-26%，消费电子厂商去库存叠加以MLCC为代表的被动元件价格下降，拉低整体盈利。Q3以MLCC为代表的被动元件库存和稼动率明显下降，被动元件价格出现止跌趋势。

我们认为被动元件行业当前价格库存均处于底部，Q2有望开启新一轮景气周期。在被动元件下游具体细分领域中，MLCC、电感领域处于快速发展期，市场规模较大，国产化率水平尚低。我们挑选被动元件主要细分领域国内、全球市场空间及当前国内厂商全球市占率，从规模空间看，MLCC市场空间最大；从国内市占率来看，当前MLCC、电感国产化率较低，国产替代需求最强。

从竞争格局来看，MLCC：中国大陆MLCC代表企业微容科技、风华高科、宇阳科技、三环集团合计市场份额11.26%，份额较小，未来国产化空间大。电感：全球电感产业集中度高。全球最主要的电感企业为村田、TDK、太阳诱电、奇力新、松下、顺络电子等企业，顺络电子处于电感行业第一梯队，整体技术水平与海外大厂已无明显差异，是目前中国大陆营收规模最大的电感企业。

MLCC：在MLCC领域，国内市场全球占比约为54%，目前MLCC我国厂商国产化率较低，目前国内MLCC厂商三环集团、风华高科均积极扩产，并且凭借成本优势及国产替代趋势不断拓展市场份额，根据MLCC厂商扩产计划，假设年国内龙头MLCC厂商份额为9%，预计年MLCC市场规模亿元，对应收入体量亿元，参考台湾国巨MLCC净利率并结合国内厂商实际情况如三环集团成本管控水平优，并进行一体化布局，预计未来MLCC国内龙头厂商净利率将达到22%，预计MLCC业务将为龙头厂商带来营收亿，净利润30亿。

电感：电感领域，国内市场全球占比约为43%，国内龙头厂商为顺络电子，其技术水平与海外大厂已无显著区别，预计后续份额将持续提升，参考电感领域龙头厂商TDK全球份额20%，并结合国内电感龙头顺络电子未来发展规划，预计年国内电感龙头市占率达20%，预计年电感市场规模亿元，由于国内厂商如顺络电子成本管控水平能力强，以其净利率作为参考平均净利率为17.5%，预计电感业务将为龙头厂商带来营收96亿，净利润17亿。

三、国产化催化设备/零部件/材料高增，chiplet带来新增量

3.1、半导体设备、设备零部件、材料主导因素仍然是国产化

3.1.1、半导体设备：国产化取得较大突破，厂商迎收入高增

按中国市场规模排序，刻蚀、薄膜沉积、光刻、量测为前四大细分设备领域。根据SEMI，年全球半导体设备市场空间为亿美元，同年中国大陆半导体设备市场空间为亿美元。按照市场规模从大到小，中国大陆设备市场细分设备为：刻蚀设备59亿美元＞薄膜沉积设备（PVD+CVD）45.6亿美元＞光刻机31亿美元以上＞量测设备24.7亿美元＞清洗设备16.7亿美元＞离子注入设备8亿美元＞CMP设备6.8亿美元＞涂胶显影设备6.3亿美元。

按国产化率从低到高排序，光刻、涂胶显影、离子注入、量测为前四位国产化率最低的设备环节。根据中国电子专用设备工业协会，华经产业研究院等数据，1）国产化率在5%以下的有：前道光刻，目前尚无国产设备进入量产线，其他如涂胶显影设备为1.1%、离子注入设备为1.4%、量测设备为2.4%、薄膜沉积之CVD设备为4.6%；2）国产化率在5%-20%：薄膜沉积之PVD设备为15%以上、刻蚀设备在20%；3）国产化率超过20%：CMP设备在21%、清洗设备在31%。

按剩余可替代的空间来排序，刻蚀、薄膜沉积、光刻、量测为空间最大的四大环节。我们根据潜在的国产替代空间进行排序，按照年的国产化率测算，刻蚀设备潜在替代空间为47亿美元、薄膜沉积设备潜在替代空间为42亿美元、光刻设备潜在替代空间为31亿美元，量测对应空间为24亿美元，其他如清洗、离子注入、涂胶显影、CMP各自的国产替代空间分别为12/8/6/5亿美元。

3.1.2、半导体设备零部件：全球市场近亿美金，国产化率低

年全球半导体设备零部件市场近亿美金，大陆设备零部件市场近亿美金。以使用对象划分，除了设备厂需要零部件外，晶圆厂也会使用辅材耗材类零部件。根据SEMI数据，年全球半导体设备市场亿美金，仅考虑设备厂商所需的零部件，以设备厂毛利率40%、设备的直接材料成本占比约80%计算，年全球半导体零部件市场亿美金。年中国大陆半导体设备市场亿美金，占全球的30%，是全球第一大半导体设备市场，年大陆半导体零部件市场规模亿美金。

年大陆半导体晶圆厂用零部件市场有望超亿人民币。根据北京半导体行业协会的测算，年中国大陆晶圆厂采购8寸和12寸前道设备零部件金额约4.3亿，年新增50%产能，按照设备、产线同时有零部件的采购需求，预计国内半导体零部件市场规模在年将超过80亿元，到年有望超过亿元。

大陆零部件国产化率低，国内设备厂主要从海外采购。1）国产化率低。国产化率超10%的有石英件（Quartz）、气体喷淋头（Showerhead）、边缘环（EdgeRing）等少数几类，其余的国产化程度都比较低，特别是阀门（Valve）、规（Gauge）、密封圈（O-ring）等几乎完全依赖进口。国产化程度低主要系半导体零部件技术要求高，在精度、材料加工方面国内厂商难以达到要求，同时市场细分化、规模小，吸引力低。2）国内设备厂主要从海外采购。统计华清海科、中微公司等6家设备厂的前五大供应商，第一大、第二大供应商基本都是海外厂商，国内厂商主要是第四大、第五大供应商，位次靠后。

种类多，不同零部件的国产化进度不一。零部件种类多，可分为机械类、电气类、机电一体类、气体/液体/真空系统类、仪器仪表类、光学类，其中机械类零部件的国产化率最高，电气类、光学类的国产化率最低。本土化需求迫切，国产零部件导入速度明显加快，零部件厂商收入快速增长。年大陆半导体零部件厂商的相关收入同比增速仅0%-25%，但年，除华亚智能（GasBox产品今年开始贡献营收）外，大陆半导体零部件厂商的相关收入同比增速高达40%-%，如年富创精密内销收入同增%，外销收入同增37%，-年内销收入CAGR%，外销收入CAGR39%。

单一产品市场空间小，但大陆厂商渗透率极低，将充分受益国产替代。大陆主要的半导体零部件厂商中，仅富创精密是较为纯粹的半导体零部件供应商（年半导体营收占比87%），其他厂商下游覆盖领域广泛，半导体业务基数小、营收占比小，半导体零部件业务整体处于起步阶段，如江丰超80%营收来自靶材，年零部件开始放量，国力股份下游覆盖新能源、军工、半导体，年真空电容器（半导体主力产品）营收仅万，正帆科技的专注半导体零部件的子公司鸿舸年成立。半导体零部件种类多、市场分散、单一产品市场规模小，如国力股份的半导体真空电容器全球市场55亿元，半导体GasBox市场约50亿元，但考虑大陆厂商刚起步、份额仅个位数，叠加国产化速度加快，大陆半导体零部件厂商有望快速发展。

3.1.3、半导体材料：产业基石，随国产化推进规模持续创新高

半导体材料处于整个半导体产业链上游环节，对半导体产业发展起到支撑作用。根据制造流程又可分为前道晶圆制造材料和后道封装材料，晶圆制造材料可分为硅片、光掩模、光刻胶及辅助材料、CMP抛光材料、工艺化学品、靶材和电子特气，封装材料可分为引线框架、基板、陶瓷封体、键合线、包封材料和芯片粘结材料。据SEMI数据显示，年全球半导体材料市场规模达到亿美元。其中，中国台湾地区半导体材料规模亿美元，占全球总规模的23%，持续稳居全球第一；中国大陆地区半导体材料规模亿美元，占全球总规模19%，位居全球第二。按细分下游来看，半导体硅片占比最大为36%，其次为电子特气及掩膜版等。

半导体材料下游种类众多，硅片为第一大细分市场。硅片是半导体制造核心材料，贯穿整体制造环节，据SEMI数据，年硅片在半导体制造材料中占比为36.4%。电子特气及掩膜版为第二、第三下游市场，占比分别13.1%、12.6%。此外光刻胶配套试剂、高纯试剂、抛光材料、光刻胶以及靶材均有个位数占比，整体材料板块下游较为分散。

半导体材料主要由海外厂商主导市场，部分领域国产化程度较高，高壁垒先进制程仍有巨大替代空间。由于我国半导体产业起步较晚，从半导体材料的竞争格局来看，各类半导体材料市场市场集中度较高，市场份额主要集中在欧美日等头部厂商手中。受益于半导体产业链的发展以及国家对产业的支持，本土厂商也通过多年的深耕在部分领域取得突破，目前国内供应商情况是通过内生+外延实现晶圆制造材料全产业链布局，但产品整体以中低端应用为主，少部分产品在高端领域实现国产替代，总体而言，国产替代进程从易到难循序渐进，靶材、电子特气、湿法电子化学品等替代速度较快，光刻胶、12寸硅片相对滞后。

硅片：12寸硅片国产化率低，国产龙头替代正当时半导体硅片行业壁垒高，海外五大家占据9成以上份额。半导体硅片行业具有技术难度高、投资规模大、研发周期长、客户认证周期长等特点，因此行业进入壁垒较高，几大主要厂商掌握着最先进的生产技术，几乎占据了全部市场份额，尤其是在大尺寸半导体硅片市场。Omdia数据显示，全球前五大半导体硅片企业中，日本的信越化学位列第一，市占率为27%；日本的SUMCO占24%，中国台湾的环球晶圆占17%，德国的Siltronic占13%，韩国的SKSiltron占13%，前五大硅片厂商市场份额占比合计94%。12寸硅片为目前主流尺寸硅片，占全球半导体硅片7成以上份额，目前国产化率较低，国内仍主要采购海外厂商，行业龙头替代空间广阔。

CMP：国产厂商渗透率稳步提升：抛光液的全球产业格局主要分布在国外，国内缺乏世界级的龙头企业。抛光液28nnm及以上产品市场主要被日本的Fujimi、HimonotoKenmazai公司，美国的Cabot、杜邦、Rodel、Eka，韩国的ACE等公司所垄断，占据全球高端市场份额90%以上，其中Cabot多年占据市场份额首位。根据Semi数据，国内产业中Cabot占领约64%的市场份额，国内CMP龙头安集科技占领22%，其余为中小厂商。抛光垫的全球市场格局主要被Dow、Cabot、ThomasWest等外资厂商垄断。前5大厂商占据全球市场约90%，其中Dow占领79%的全球份额。在国内，Dow垄断中国近90%的CMP抛光垫市场供给，是国产替代的主要对象。国内较知名的抛光垫厂商为鼎龙股份。

刻胶：极高壁垒，极低国产化率的半导体材料，替代空间广阔KrF和ArF光刻胶市场需求量更大，增速更快，是推动当下光刻胶市场快速增长的主要因素。从市场规模增速来看，EUV光刻胶发展最快，但处于发展初期体量较小，根据techcet数据，年仅约0.51亿美元，预计到年达到1.97亿美元，-CAGR达48.8%；增速第二快的是KrF光刻胶，其年全球市场规模为6.9亿美元，预计到年达到9.07亿美元，-年CAGR为8.2%。ArF光刻胶（ArF+ArFi）年全球市场规模为9.55亿美元，预计到达到10.72亿美元，-CAGR为3.5%；较为低端的g/i线光刻胶预计市场规模变化不大，占比缩小。

半导体光刻胶国产化率极低，本土厂商加速替代高端产品。由于大陆半导体产业链起步较晚，整体国产化率较低，约10%，其中g/i线光刻胶难度相对较低，本土代表厂商有部分量产，国产化率约为20%，但KrF光刻胶目前仅彤程新材、华懋科技、晶瑞电材具备量产能力，国产化率不到5%，更高端的ArF光刻胶仅彤程新材、华懋科技的部分料号通过晶圆厂验证，还没有形成规模量产，均有望于年放量。

3.2、Chiplet助力弯道超车，后道设备/材料有望受益

Chiplet是先进封装的一种，其核心是“多芯片集成”。先进封装与传统封装以是否焊线来区分，传统封装需要焊线，先进封装采取非焊线的形式。先进封装包括FCBGA（FlipChipBallGridArray，倒装芯片球栅格阵列）、FCQFN（FlipChipQuadFlatNo-leads，倒装方形扁平无引脚封装）、2.5D/3D（即立体封装，对芯片进行叠高，单位面积晶体管密度增加，从而提升性能）、WLCSP（WaferLevelChipScalePackaging，晶圆级芯片规模封装）、Fan-Out（扇出工艺）等技术。而chiplet为2.5D/3D技术的一种，相比于传统的对整颗较大面积、同一制程的芯片进行封装，chiplet是将一类满足特定功能、制程/工艺不一定相同的die（裸片），通过die-to-die内部互联技术实现多个模块芯片与底层基础芯片封装在一起，形成一个系统芯片。

在美国对中国先进制程进行封锁的背景下，chiplet对中国半导体产业的意义在于提升晶圆良率与芯片性能：1）提升晶圆良率。Chiplet对复杂SoC芯片进行“分解”，缩小了单颗die的面积，从而提升了晶圆制造端的良率。在当前中国大陆先进制程产能较难扩产的情况下，提升晶圆良率可产出更多合格的先进制程芯片，从而支撑相关厂商业务继续发展。2）提升芯片性能。通过Chiplet技术堆叠多颗芯片，实现算力提升。此举有望突破当前中国大陆所受到的先进制程芯片的限制，进一步提升芯片的性能。

四、成长性：汽车电子长期创新方向，智能化创造持续增长点

汽车电动化加速渗透，智能化持续升级。年1-10月全球新能源乘用车销量约.1万辆，渗透率突破10%拐点达到13%，国内年1-11月的新能源车销量则达到.7万辆，渗透率达25%，电动化正处于加速渗透阶段。同时，全球汽车ADAS（advanceddriverassistancesystem，高级驾驶辅助系统）的搭载率不断提升，并向着完全自动驾驶的方向持续进阶，预计全球L2及以上车型渗透率将从年的18%提升至年的86%，L3+级智能车渗透率将由年的1%上升至年的56%。

电动化：驱动新能源车功率半导体IGBT、SiC，BMS模块中的AFE芯片，以及被动元件、连接器、PCB等各类电子零部件的需求增长。1）功率半导体：年全球IGBT市场规模约为20亿美元，预计年将达73亿美元，CAGR为39%；根据Wolfspeed预测，年全球新能源车SiC器件市场规模达16亿美元，年有望达到46亿美元，CAGR达30.2%。

2）AFE芯片：预计年全球AFE芯片的市场规模约为6亿美元，年有望超过18亿美元，CAGR为34%。3）其他电子零部件：a）连接器：预计年全球汽车连接器市场规模将达到亿元，-年的CAGR达13%；b）PCB：预计年全球车载PCB市场规模将达亿元，-年CAGR达17%；c）磁性元件：预计年全球车用磁性元件市场空间亿，-年CAGR达19%；d）薄膜电容：预计年全球车用薄膜电容市场规模将达亿元，-年CAGR达40%；e）MLCC：预计年全球车用MLCC市场规模将达48亿元，-年CAGR为14%。

4.1、汽车电动化加速发展，SiC加速布局成长可期

“里程焦虑”催生V快充方案，车企加速布局。新能源车“里程焦虑”解决方案包括推广换电模式、延长续航里程、发展快充技术等。其中，快充技术可以在不依赖换电站的前提下有效提升补能效率，因此是多数车企布局方向。快充技术主要包括大电流和大电压两大方案，大电流方案缺点在于：大电流会导致发热量高，会降低转换效率，同时增加热管理系统成本，目前仅特斯拉、极氪等少数品牌选择了大电流方案，多数车企则选择了大电压方案。现阶段主流新能源车高压电气系统电压范围一般在V-V（即“V系统”），随着高压快充的推进，整车高压电气系统电压范围达到-V（即“V系统”）。

年保时捷推出全球首款纯电动V车型TaycanTurboS，年11月小鹏推出国内首款VSiC平台车型小鹏G9。此外，比亚迪、极氪、岚图、广汽埃安、极狐、长安、长城、理想等多家车企也已先后发布V平台架构或规划。年7月极狐αSHI版已量产交付，小鹏G9也已于10月开启交付，年是我国V高压平台车型量产的元年，但目前整体规模仍较小，据纬湃科技预测，年V系统在新能源车市场有望达到15%市占率。

V系统对电控提出更高要求，SiC器件成为更优选择。碳化硅属于宽禁带半导体，相比于传统硅基器件，碳化硅单位面积的导通阻抗可以更小(1/3~1/5ofSi)，耐压高更高，开关速度更快(3~10xofSi)，同时还具备高温工作能力，有利于提高逆变器的功率密度。据电驱动Benchmarker，SiCMOS替代传统SiIGBT，大约能提升5~10%的续航里程。

在新能源车的带动下，未来碳化硅市场空间有望达亿美元。据IHSMakit预测，年全球SiC功率器件的市场规模约4亿美元，此后受新能源车及电力设备等领域需求的拉动，至年市场规模有望快速成长至亿美金以上，-年CAGR高达43%。从结构看，据Wolfspeed，年全球第三代半导体功率器件市场为60亿美金，其中汽车相关需求为46亿美金，占比高达77%。

Wolfspeed等海外SiC器件厂商在新能源车领域进展较快，国产厂商积极布局，三安光电、斯达半导、时代电气、中瓷电子等相对突出。1）海外厂商方面，Wolfspeed作为全球SiC衬底龙头，至年底与意法半导体有超过8亿美元SiC晶圆供货协议，与英飞凌、安森美分别有近1/0.85亿美元的供货协议，且直接与通用汽车、Lucid、大众、宇通客车等车厂合作，提供SiC产品。日本SiC龙头罗姆，与纬湃科技（大陆旗下）、北汽新能源、臻驱科技、吉利、联合汽车电子等中国厂商合作广泛。安森美则在年通过收购衬底供应商GTAT，具备了SiC衬底制造能力，从而构建了完善的SiCIDM模式。

2）国内厂商方面，三安光电、斯达半导SiC产品“上车”进度国内领先，时代电气年发布了自研SiC芯片新能源车电驱，士兰微、扬杰科技、宏微科技、新洁能、华润微、安世半导体这些传统的硅基功率厂商，则在-21年间发布SiC二极管、SiCMOS等产品，布局相对前瞻。瀚薪科技、瞻芯电子、派恩杰这类SiC器件设计公司，起点高，诞生之初即从事SiCMOS产品研制，瞄准新能源车、工业市场。

另外，汽车电动化下BMS模块带来AFE模拟芯片新需求，预计年有望超过18亿美金。模拟前端（AFE-AnalogFrontEndFrontEnd）是包含传感器接口、模拟信号调理电路、模拟多路开关、采样保持器、ADC、数据缓存以及控制逻辑等部件的集成组件，其本质上是以ADC为核心的采样芯片。由于通道数量更多的AFE承压能力越强，价格也会更高，因此形成了承压和价格的正相关性（比如ADI的LTC是6s，单价是6.51美元；而LTC是12s，单价则翻了一倍在12美元左右）。根据我们测算，V的AFE单车价值，ADI为美元、TI为76美元、ST为67美元，我们取三家平均值85美元作为单车价值，由此计算得到年市场规模接近6亿美元，预计年市场规模可超过18亿美元。

4.2、智能驾驶持续升级，汽车半导体迎来新增长点

智能驾驶中感知层发展最快，摄像头和激光雷达是重要增量。智能驾驶的实现需要对汽车的周围环境进行感知、分析、判断并进行有效的处理和执行，以实现拟人化的动作执行，是汽车智能化的基石。其中感知层是目前汽车智能化发展最快的方向，涉及车载摄像头、毫米波雷达、激光雷达、超声波雷达以及惯性导航设备（GNSSandIMU）等多类传感器，而摄像头模块是L2+级核心传感器，L3和L4/5则以激光雷达模块为重要增量。

智能驾驶持续升级，带来车规半导体显著增量。随着ADAS等级的提升，计算控制芯片（MCU、SoC等）、存储芯片（DRAM、NAND、NOR等）、传感器芯片（CMOS、雷达芯片、MEMS等）、通信芯片（总线控制、射频芯片）等车规芯片的需求不断增长。L2级智能车的单车半导体价值量约为美元，到L3级后则提升为美元，L4/5级进一步提升至美元。

CIS作为主流成像芯片，将受益车载摄像头高成长确定性。车载摄像头主要的硬件结构包括光学镜头（包含光学镜片、滤光片、保护膜等）、图像传感器、图像信号处理器ISP、串行器、连接器等器件。从成本结构看，图像传感器占比约52%，是车载摄像头模组最主要的组成部分，此外镜头组和模组封装占比分别为20%和19%。图像传感器主要分为CCD和CMOS两大类，目前CIS（CMOS图像传感器）占比已超90%，是车载摄像头的主流成像芯片。通过价值占比测算，我们预计年全球车载CIS市场规模将达到亿元，-年CAGR达19.3%，年有望达到亿元。

豪威有望逐步抢占安森美份额，成长为全球车载CIS龙头。根据ICVTank数据，年全球车载CIS市场中安森美和豪威市占率分别为45%和29%，第三名索尼市占率6%，CR3高达80%，行业高度集中。其中，豪威舱内CIS产品线齐全，市占率全球第一。在高像素CIS领域，安森美于年推出首颗8MPCIS，豪威于年推出第二代8MP产品，并于年完成研发后量产出货，由于豪威推出时间较安森美晚，且车规芯片从定点到量产存在2-3年时间差，因此现阶段8MP车载CIS市场中安森美份额较高。目前豪威正在研发第三代8MPCIS，随着定点产品逐步进入量产，豪威在高像素领域市占率有望持续提升。整体来看，考虑到安森美8MP产品升级滞缓，且短期难以解决产能短缺问题，我们认为豪威有望凭借技术、产能优势获得更多新车型定点，在未来2-3年内逐步抢占安森美份额。

模拟芯片应用涵盖五域，汽车智能化使得配套使用的信号链、电源管理芯片增多。模拟芯片起到桥梁和供电的辅助作用，遍及汽车五域的各个角落。ADAS域方面，以远程信息控制单元为例，需要用到的模拟芯片包括接口类、栅驱动、led驱动、pmic等；智能座舱域方面，以仪表盘为例，其用到的模拟器件包括LDO、PMIC、接口、浪涌保护等。

MCU是汽车大脑的核心控制单元，大陆厂商从中低端车规MCU切入，并考虑研发高算力产品。随着汽车智能化发展，ADAS、高精度导航、车身电子等应用对MCU需求量大增。根据ICInsights预测，年全球车规MCU市场规模约76亿美元，年有望增长至亿美元，-25年CAGR为11.3%，高于MCU整体市场规模CAGR（5%）。近年来部分大陆厂商已从与安全性能相关性较低的中低端车规MCU切入，如雨刷、车窗、遥控器、环境光控制、动态流水灯等车身控制模块，并逐步开始研发未来汽车智能化所需的高端MCU，如智能座舱、ADAS等。目前，兆易创新、芯海科技、国芯科技、BYD半导等厂商均有通过车规验证的产品，中颖电子车规MCU已于今年10月流片。

高级别自动驾驶催化soc芯片算力需求，预计年将达到69亿美金。决策规划分为路径规划、行为决策和运动规划三个层次，每个环节功能的实现都建立在对应的算法上。随着自动驾驶级别的提高，芯片需要处理的环境复杂度和操作多样性抬高算力需求，L2级别的算力需求在10TOPS以下，L3/L4/L5级别则提升至30-60//0TOPS，因此算力更高的自动驾驶SoC芯片需求广阔。预计自动驾驶SoC市场规模年约为15亿美元，到年将达到69亿美金，-25年CAGR达46%。

英伟达、Mobileye和高通主导智能驾驶SoC市场，华为、地平线等国内厂商崭露头角。1）华为：基于昇腾芯片的MDC平台已在多款新车上应用，单颗算力达TOPS，支持L4级自动驾驶，目前搭载车型包括哪吒S、极狐αS、阿维塔11、问界系列等。“华为造车”产业链持续扩充，在智能化硬件和软件领域均有充分布局，未来有望凭借智能化全栈式服务获得更多定点。2）地平线：征程3首次搭载在款理想ONE上，第三代产品征程5是业界首款实现自动驾驶和智能交互集成的整车智能中央计算芯片，算力达TOPS，将于11月量产交付的理想L8Pro将成为征程5首款量产车。最新推出的征程6芯片算力高达TOPS，预计年量产。地平线凭借具备竞争力的芯片以及成熟完善的开放平台，有望推动自动驾驶芯片国产化进程。

智能化网联化趋势下，海量数据对车载存储提出更高需求。在汽车智能化、网联化趋势下，ADAS系统、智能座舱、车联网技术的应用都将产生大量数据，对车载存储提出更高需求。以ADAS系统为例，ADAS平台研发需要在车辆行驶时收集大量路测数据，包括摄像头、雷达、激光雷达、GPS等数据，将这些数据上传到研发平台后对其进行AI训练，并在ADAS平台上验证和仿真，整个过程会产生大量过程数据。L2级车路测一小时大概产生2TB数据，L4-L5级每小时路测数据量则达到16-20TB，单次路测将产生8-60TB的数据，整个研发周期产生的数据将达到EB级别。海量数据的缓存、读取和处理将对存储系统的读写性能、容量、可靠性等提出更高要求，车载存储芯片需求因此快速提升。

智能化升级，提升车规DRAM容量、带宽要求。车规DRAM主要用于存放运行中的程序和数据，核心应用领域包括IVI车载信息娱乐系统、ADAS系统、信息和仪表盘，三大系统的升级对DRAM的容量和带宽都有更高要求。1）容量方面：根据美光的数据，L1/2级汽车单车DRAM容量需求约8GB，L3级和L5级则分别提升至16GB和74GB。ADAS和IVI是车规DRAM主要增量来源，年DRAM容量需求占比由高到低分别是IVI（52%）、ADAS（34%）和信息数字仪表盘（14%），ADAS对DRAM的增量需求最为明显，年容量需求占比预计提升至45%。2）带宽方面:L2级DRAM带宽一般为25-50GB/s，L3级时带宽可达GB/s，L4级之后带宽将提升至1TB/s。产品方面，L2级主要采用基础的DDR2/DDR3，现阶段L2开始往L3升级，DRAM也将逐步往DDR4/LPDDR4/LPDDR5/GDDR5切换。

预计年全球车载DRAM市场规模将突破20亿美元，目前美光龙头优势凸显，龙二北京君正产品持续升级。根据测算，年全球车规DRAM市场规模为12亿美元，预计/年将分别达到22/51亿美元，-30年CAGR达16%。车规DRAM领域美光优势显著，市占率高达45%，北京君正收购北京矽成（ISSI）后切入车载存储芯片赛道，市占率15%位居第二，三星、南亚科、华邦电占比分别为11%、10%和8%。

美光在车规DRAM领域布局较早，产品线较齐全，客户资源也更丰富，龙头地位较稳固，目前DDR2-DDR4已量产，DDR5处于送样检测阶段，年推出业界首款满足ASILD等级的LPDDR5，容量最高达GB。北京君正（ISSI）目前车规DRAM产品中DDR3收入占比最大，DDR4和LPDDR4也是公司重点布局的市场，目前8GB和16GBDDR4已量产出货，8GBLPDDR4也已开始向客户送样，产品持续升级，同时与博世、大陆等知名客户均有密切合作。

ADAS和智能座舱升级带来NAND显著增量需求。NAND主要用于ADAS系统、IVI系统、汽车中控等，主要作用在于存储连续数据。ADAS系统中NAND容量需求增长最为显著，根据海力士数据，L2级ADAS一般只需主流的8GBe-MMC，L3级则提升至/GB，L5级最高可能超过2TB。IVI系统方面，传统汽车娱乐系统一般只需32GB以下的NAND，而升级智能座舱后，64GB成为了最低配臵，并随着IVI系统功能不断升级，NAND容量需求不断攀升，预计年IVI系统NAND需求最高将提升至1TB。此外，随着自动驾驶技术发展，未来将会形成“端-边-云”数据架构以确保行车安全性，为减小云端和汽车间数据的传输延时，车载NAND需求将进一步提升。

预计年全球车载NAND市场规模将达到29亿美金，目前市场主要由海外龙头主导。根据我们测算，年车规NAND市场规模为10亿美元，预计/年将分别达到29/亿美元，-30年CAGR达32%。21Q4全球NAND市场三星、铠侠、海力士、西部数据、美光市占率分别为33.5%、19.8%、14.7%、12.4%、10.5%，CR5高达91%，车规NAND市场也主要由这几大龙头厂商主导。三星产品进度明显领先于其他厂商，目前UFS3.1已量产出货，5月新推出UFS4.0未来也将应用于车载领域，铠侠、海力士、美光也已推出UFS3.1产品，但美光和铠侠仍处于送样检测阶段。国内厂商主要布局相对小众的利基市场，兆易创新GD5F全系列SPINANDFlash通过AEC-Q车规认证，东芯股份的车规级PPINAND以及SPINAND样品于今年向客户送样。

车载传感器搭载数量提升，加上快速启动要求提高，带来NORFlash用量提升。NORFlash主要作用为系统启动代码和特定只读信息系的存储，车载应用方面，汽车仪表盘、车载摄像头等需要在汽车发动时快速启动，因此对代码读取存在高要求，NORFlash在读取速度方面优势显著，且可避免车辆突然掉电数据丢失。在ADAS系统中，1个摄像头需要1颗NORFlash，平均容量为4/8MB，未来有向16/32MB增加的趋势。一个仪表盘需要1颗NORFlash，容量一般在/MB，少量MB。年车规NORFlash市场为4.23亿美元，其中在摄像头和仪表盘市场分别为0.34亿美元和2.17亿美元，在汽车智能化的趋势下，我们预计年NORFlash在车载摄像头、仪表盘市场分别增加至0.94亿美元、5.11亿美元。此外，汽车的中控屏、雷达、传感器、安全气囊等也需要用到NORFlash，年市场约为1.72亿美金。

预计年全球规模达9亿美元，全球市场高度集中，兆易创新车规NOR产品进展顺利。年全球车规NOR市场预计将达9亿美元，-25年CAGR为13%。年美光、英飞凌（赛普拉斯）逐步退出中低端NORFlash市场，、年兆易创新市占率先后反超美光和赛普拉斯，根据ICInsights数据，年三大厂商华邦电子、旺宏、兆易创新NORFlash市占率分别为25.8%、25.5%和17.7%，CR3约62.5%。在车载NORFlash领域，年兆易创新GD25全系列SPINORFlash便完成了AEC-Q认证，覆盖2MB-2GB容量，已向多家车企批量出货。从制程来看，华邦电子相对领先，目前大部分NOR产品均已过渡至40nm，旺宏从22Q2开始向45nm过度，兆易创新55nm全系列产品均已量产，正在推进45nm制程工艺研发。

EEPROM市场规模相对较小，国产厂商加快布局。EEPROM属于非易失存储器，可通过高于普通电压的作用来擦除和重写，容量较小，因此主要用于存储小规模、经常需要修改的数据。EEPROM在ADAS（车载摄像头等）、智能座舱（车载屏等）、智能网联（蓝牙天线等）以及三电系统、车身、底盘均有应用，因此智能化带来的摄像头、屏幕、蓝牙数量提升将带动单车EEPROM用量增加，一般而言，传统燃油车单车用量约15-20颗，智能电动车用量则达30-40颗。

在汽车EEPROM领域，海外企业因布局相对较早，已拥有较为成熟的产品体系和客户体系，主要厂商意法半导体、安森美等均已具备A0等级（-40~+℃）技术水平。国内EEPROM厂商近年在车规领域亦有较大进展，聚辰股份目前已有A1、A2、A3等级的全系列汽车EEPROM产品，并在完善A0级产品布局，22H1车规EEPROM已实现大批量出货；普冉股份车规EEPROM已通过AEC-Q标准考核，已在车身摄像头和车载中控领域向海内外客户批量出货。

4.3、智能座舱发展迅速，AR-HUD渗透率快速提升

智能座舱渗透率持续提升，市场空间广阔。相比于智能驾驶，智能座舱的安全要求、法律风险、技术门槛相对都更低，其成果也更容易被驾驶员和乘客感知，因此是传统车企和新势力车企重点布局的领域，智能座舱渗透率不断攀升。根据IHS数据，年全球市场智能座舱新车渗透率为49.4%，预计年将达到59.4%，中国市场渗透率水平和增长速度相对更高，预计将从年的53.3%提升至年的75.9%。整体规模来看，年预计全球智能座舱市场规模达亿美元，-30年CAGR为4.9%，其中国内市场规模将超0亿元，-30年CAGR达9.9%，智能座舱市场空间广阔。

HUD提升驾乘体验和安全性，应用车型均价逐步下探，渗透率快速提升。HUD（Head-up-Display，抬头显示器）旨在保证驾驶安全性，使驾驶员不用低头便能看到导航、车速等信息，主要包括C-HUD、W-HUD和AR-HUD。C-HUD发展最早，但成像效果一般且存在安全隐患，目前已逐步退出市场。而以往W/AR-HUD更多应用于丰田、哈弗、宝马、凯迪拉克等车企的高端车型，在HUD技术优化和车企的积极推动下，HUD向中端车型加速渗透。根据高工智能汽车数据，22年前三季度15-25万价位贡献接近50%的搭载量，标配车型均价从去年的31.94万元下降至17.57万元。根据高工智能汽车数据，年前三季度国内W/AR渗透率为6.9%，预计年有望超25%。目前W-HUD占比约90%，随着AR-HUD逐步量产上车，预计年AR-HUD占比将达到30%。

预计年AR-HUD市场规模将达到亿元，国内华阳集团、水晶光电具备强竞争力。经测算，年W/AR-HUD市场规模约58亿元，其中W-HUD和AR-HUD分别为47和12亿元，预计年将分别达到和亿元，-25年CAGR分别为30%和82%，对应整体W/AR-HUD市场CAGR为46%。目前W/AR-HUD市场集中度较高，前三季度电装、华阳、怡利、日本精机和大陆国内市场份额分别为35%、17%、15%、9%和8%，CR5达83%，较年的92%有所下降。目前，华阳集团正大力发展AR-HUD3.0，以VID可变式HUD作为新一代AR-HUD的技术突破口，双焦面、斜投影、光场式AR-HUD依次为VID可变技术的进阶方向。此外，水晶光电经过多年技术积淀，目前已具备HUD纵向一体化供应能力，可提供自由曲面镜等光学零部件、PGU以及W-HUD、AR-HUD整机等产品，有望充分受益AR-HUD搭载率的持续提升。

智能座舱数据处理复杂程度高，SoC芯片为核心运算单元。智能座舱涵盖车载信息娱乐系统、人机交互模块、车联网模块、HUD系统等多个部分，发展核心在于集成座舱的软硬件以及人机交互系统，持续优化驾乘体验，最终进化为“智能移动空间”。现阶段多模态交互是智能座舱重要发展趋势，即在舱内舱外感知基础上，通过多模态技术实现语音、情绪、手势、人脸识别、定位等功能的有效融合。在这一演进过程中，车内摄像头数量增加、分辨率提升、3D信息引入、模型优化、运行帧率提高等各类软硬件和算法的升级使得数据处理复杂程度显著上升，传统单个ECU独立运算已不适用，需要集成CPU、GPU、NPU等多个处理器的系统SoC芯片进行数据处理运算

预计年全球智能座舱SoC芯片市场规模达到43亿美元，华为、瑞芯微、芯擎科技等国内芯片企业有望逐渐切入中高端市场。经测算，年智能座舱SoC芯片市场规模约25亿美元，预计/年将达到43/72亿美元，-25年CAGR达14%。华为麒麟A采用7nm制程，AI算力为35TOPS，目前已量产上车，搭载车型包括极狐αS、阿维塔11、问界M5/7等多款“华为系列汽车”。

年12月AIoT处理器芯片企业瑞芯微推出了车规级座舱SoC芯片RKM、RKM、RKM，RKM规格最高，采用8nm制程，8核高性能CPU和GPU，AI算力达6TOPS，可实现一芯多屏等功能，支持12路摄像头合7路P视频输出。吉利旗下汽车芯片公司芯擎科技也于同月发布了SE0芯片，采用7nm制程，AI算力高达8TOPS，可对标高通SAP。我们认为，国内芯片企业在中高端产品领域实力初显，有望凭借产品优势和本土优势从国产汽车品牌切入中高端市场。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）

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